基于波长调制-直接吸收光谱方法的CO分子1567 nm处谱线参数高精度标定

直接吸收光谱(DAS)可直接测量分子吸收率函数,并通过拟合吸收率函数确定待测气体参数.波长调制-直接吸收光谱(WM-DAS)在DAS基础上,结合了波长调制光谱(WMS)中谐波分析思想,利用傅里叶变换复现吸收率函数,可有效提高吸收率函数的测量精度.本文利用WM-DAS方法结合长光程气体吸收池,在室温低压条件下,对CO分子1567 nm处R5-R11近红外弱吸收谱线吸收率函数进行了精确复现,其拟合残差标准差低至3×10^-5,随后根据测得的吸收率函数对谱线的碰撞展宽、Dicke收敛以及速度依赖的碰撞展宽系数等光谱参数进行了高精度标定,并将其与高灵敏度的连续波腔衰荡光谱(CW-CRDS)测量结果进行了比较,实验结果表明该方法与CW-CRDS测量结果具有高度一致性,更具有系统简单、测量速度快、对环境要求低等优点.     

无序激光晶体及其超快激光研究进展

激光是受激辐射的光放大,所辐射的波长取决于增益介质中关键电子的能级结构,特别是其最外层电子的状态决定了可能实现的激光特性。激光发展60年来,激光晶体作为激光的重要激活材料,推动了激光技术的进步和普及,是一个研究历史长而又异常活跃的研究领域。当前,超短超强脉冲激光在加工、医疗、国防等关系国计民生的领域有重要需求,适合超短超强激光的激光晶体成为了本领域的研究热点,其关键是揭示最外层电子的影响因素及设计和生长具有宽波段发射性能的激光晶体。本论文从探讨影响激活离子光谱性能的关键因素出发,综述了以本课题组十余年研究的10余种无序激光晶体为主要部分的研究结果和进展,涉及晶体生长、晶体物理、激光器件设计及应用等工作,包含了高级、中级和低级对称性晶体及其获得的最短脉冲激光结果,希望能为本领域的后续研究提供一定的参考和借鉴。     

利用静电场中光电离效率谱精确确定1,3-二乙氧基苯分子的电离能

电离能是原子和分子的重要的特性参数,在光物理和光化学过程中起着重要作用,精确电离能对相关研究具有重要意义.电离能是调试零动能光谱信号的重要参考数据,在判断异构物数量和分子构型方面也起着关键作用.1,3-二乙氧基苯是一种重要的苯的衍生物,实验证实在超声分子束中包含两种旋转异构物Ⅰ(downup)和Ⅲ(down-down).它们的精确电离能还未见文献报道.本文采用直线式飞行时间质谱仪测量了静电场中1,3-二乙氧基苯光电离效率曲线,通过不同电场强度下测量的电离能(Stark效应)对场强的平方根线性拟合给出了两种异构物Ⅰ和Ⅲ精确的电离能分别为(62419±2)cm^–1和(63378±2)cm^–1.相对于通常的脉冲电场加速机制和零动能光谱测量的电离能,精确度大约分别由(±10)cm^–1和(±5)cm^–1提高到(±2)cm^–1.分析和讨论了不同方法测量的物理机制和优缺点.     

Disjoining pressure and the film-height-dependent surface tension of thin liquid films: New insight from capillary wave fluctuations

In this paper we review simulation and experimental studies of thermal capillary wave fluctuations as an ideal means for probing the underlying disjoining pressure and surface tensions, and more generally, fine details of the Interfacial Hamiltonian Model. We discuss recent simulation results that reveal a film-height-dependent surface tension not accounted for in the classical Interfacial Hamiltonian Model. We show how this observation may be explained bottom-up from sound principles of statistical thermodynamics and discuss some of its implications.     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

13CH4分子v3振动带空气和氮气加宽系数温度依赖性研究

采用中红外波段连续可调谐二极管激光器和自行研制的低温吸收池, 测量了温度为296 K, 252 K, 213 K, 173 K时, 3.38 μm附近¹³CH₄分子的四条跃迁谱线的氮气和空气加宽光谱; 首次通过实验获得空气和氮气对¹³CH₄分子的碰撞加宽系数, 以及谱线加宽系数的温度依赖系数. 实验过程中, 利用Voigt线型对所测量的光谱进行拟合. 实验结果表明, 氮气和空气对¹³CH₄分子的碰撞诱导加宽系数随温度的降低而增大; 相同温度下, 氮气对¹³CH₄分子的碰撞加宽系数普遍大于空气加宽系数. 实验数据为地球和外星体大气遥感探测提供了依据.     

Doppler程序对金红石型TiO2的空位缺陷研究

金红石型TiO2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关。本文利用Doppler程序在广义梯度理论（GGA）的基础上,计算了正电子在金红石型TiO2块材中不同缺陷处的湮没寿命。主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命。并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型TiO2的符合多普勒展宽能谱。     

Electron broadening of isolated lines with stationary non-equilibrium level populations

It is shown that a quantum kinetic theory approach to line broadening, extended to stationary non-equilibrium states, yields corrections to the standard electron impact widths of isolated lines that depend on the population of the radiator internal levels. A consistent classical limit from a general quantum treatment of the perturbing electrons also introduces corrections to the isolated line widths. Both effects are essential in preserving detailed-balance relations. Preliminary analysis indicates that these corrections may resolve existing discrepancies between theoretical and experimental widths of isolated lines. An experimental test of the results is proposed.     

Energy band modulation of GaAs/Al0.26Ga0.74As quantum well in 3D self-assembled nanomembranes

In this study, we investigate the modulation of energy band in 3D self-assembled nanomembranes containing GaAs/Al_0.26Ga_0.74As quantum wells (QWs). Photoluminescence (PL) characterizations demonstrate that the self-assembled structures have different optical transition properties and the modulation of the energy band is thus realized. Detailed spectral analyses disclose that the small strain change in structures with different curvatures cannot cause remarkable change in energy bands in Al_0.26Ga_0.74As layer. On the other hand, the optical transitions of GaAs QW layer is influenced by the strain evolution in term of light emission intensity. We also find the first order Stark effect in rolled-up nanomembrane with diameter of 150 μm, which is closely connected with the coupling effect between the deformation potential and the piezoelectric potential. Our work may pave a way for the fabrication of high performance rolled-QW infrared photo-detectors.